Выпуск #2/2006
Карл Дэйтц.
Метод тонких линий не ограничен полуаддитивной технологией?
Метод тонких линий не ограничен полуаддитивной технологией?
Просмотры: 1012
В слоях пакетов интегральных схем с микропереходами применяется тончайшая компоновка. Такие схемы создаются с помощью полуаддитивной (SAP) технологии (рис.1), то есть, на очень тонкий слой медного покрытия наносится резист, затем осуществляется печать схемы, резист удаляется, а остаточный медный слой "вытравливается". Поскольку вытравливание выполняется без защиты металлического слоя, то часть нанесенного печатного слоя тоже теряется, и эта потеря должна быть компенсирована резистом. Для формирования проводников шириной 10 мкм (с таким же зазором между ними) ширина резиста должна составлять 8 мкм, а расстояние между резистами – 12 мкм. Это делается потому, что вытравливание медной основы толщиной 0,5–1 мкм вызывает разъедание отпечатанного проводника, по меньшей мере, на 1 мкм с каждой стороны. Для проводника высотой 12–13 мкм толщина резиста должна быть около 15 мкм, и соотношение высоты к ширине резиста будет составлять примерно 2:1, что весьма существенно. Резист шириной 8 мкм довольно плохо держится на поверхности платы в процессе ее обработки и травления, что делает проблематичным применение SAP-процессов при топологических размерах менее 10 мкм.
Для полуаддитивной технологии существует возможность создания более тонких проводников, но только в том случае, если в качестве основного металлического слоя не использовать медь. В этом случае вытравливание основы может осуществляться без потерь. К примеру, хромовое покрытие может быть вытравлено при помощи перманганата или алюминия с каустической содой. Более совершенным решением будет отказ от использования схем с проводниками, расположенными на поверхности, и переход к "утопленным" проводникам (см. рис. 2). Такая схема расположения не будет подвержена боковому сдвигу, а вместо одной контактной плоскости, проводник будет иметь три.
Существует два основных способа формирования "утопленной" схемы. Одна идея заключается в создании канавок и отверстий в диэлектрике, определяющих проводники и переходы. Канавки и отверстия могут быть сформированы при помощи технологии впечатывания, горячим тиснением или лазерным сверлением. Другая идея состоит в формировании схемы печатью на токопроводящем слое (см. рис. 3). Таким слоем может быть диэлектрик с нанесенным металлическим покрытием, например, полиэфирная основа с распыленным на ней алюминием. Также может быть использована основа из нержавеющей стали.
В настоящее время нет оснований по однозначному выбору одного из этих методов и не ясно, какой из них, в конечном счете, будет использоваться (или появится еще один). Ясно только то, что довольно много прогрессивных производителей занимается сейчас исследованиями новых технологий.
Карл Дэйтц – директор по развитию исследований DuPont Electronic Materials Laboratory, Research Triangle Park. В круг его обязанностей входят прикладные исследования материалов, используемых для печатных плат.
Существует два основных способа формирования "утопленной" схемы. Одна идея заключается в создании канавок и отверстий в диэлектрике, определяющих проводники и переходы. Канавки и отверстия могут быть сформированы при помощи технологии впечатывания, горячим тиснением или лазерным сверлением. Другая идея состоит в формировании схемы печатью на токопроводящем слое (см. рис. 3). Таким слоем может быть диэлектрик с нанесенным металлическим покрытием, например, полиэфирная основа с распыленным на ней алюминием. Также может быть использована основа из нержавеющей стали.
В настоящее время нет оснований по однозначному выбору одного из этих методов и не ясно, какой из них, в конечном счете, будет использоваться (или появится еще один). Ясно только то, что довольно много прогрессивных производителей занимается сейчас исследованиями новых технологий.
Карл Дэйтц – директор по развитию исследований DuPont Electronic Materials Laboratory, Research Triangle Park. В круг его обязанностей входят прикладные исследования материалов, используемых для печатных плат.
Отзывы читателей
